外延層必須是經(jīng)過摻雜的單晶層。從器件制造的角度考慮，總希望外延層具有均勻的一定量的單一雜質(zhì)分布，而且要求外延層與襯底界面處雜質(zhì)分布濃度陡峭一些。

SiCl₄氫還原法外延由于在高達1200℃高溫下進行，襯底與外延層中雜質(zhì)相互擴散，從而使襯底與外延層形成雜質(zhì)濃度緩變分布，這就是外延中的擴散效應。這種效應是可逆的，生成的HCl對硅有腐蝕作用。在襯底腐蝕的同時其中雜質(zhì)就釋放出來，加之在高溫外延過程中，高摻雜襯底中的雜質(zhì)也會揮發(fā)，此外整個外延層系統(tǒng)中也存在雜質(zhì)的沾污源，這三種因素造成的自摻雜效應嚴重影響了外延的雜質(zhì)分布，外延電阻率做高也不容易。

SiH₄熱分解法反應溫度低，其化學反應激活能是1.6eV，比SiCl₄小0.3eV，可以在1100℃時獲得與1200℃下SiCl₄反應時相當?shù)纳L速率，同時這種方法不產(chǎn)生HCl，無反應腐蝕問題，因而擴散效應和自摻雜現(xiàn)象不如SiCl₄嚴重。如果采用“背封”技術(shù)和“二步法”外延，用SiH₄熱分解法就能獲得較為理想的突變結(jié)和濃度分布。